半导体（存储）

美光科技

存储芯片：DRAM、NAND，以及与 AI 加速器堆叠在一起的高带宽内存（HBM）。

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护城河

在缺货周期里，靠规模和长约取胜。风险在于周期本身、长鑫存储在标准 DRAM 上的追赶，以及英伟达推动 HBM 标准化。

实体资产与规模	强	占全球 DRAM 产能的两成多；每一代 HBM 都更耗晶圆，新增供给需要数年时间和数十亿美元。
转换成本	强（合同锁定）	与战略客户签订照付不议协议：FY2026 年报披露剩余履约义务约1340亿美元，上一季度末仅50亿美元。
技术与路线图	有竞争力	HBM 每年一代，路线图排到2030年的 HBM6，并与英伟达合作定制 base die；但第二季度其 HBM 营收份额从约21%降至17%。
监管与供应链	有利	在美国本土建厂（纽约州 Clay 工厂进度超前），并打通本土铟材料供应，契合减少对中国依赖的方向。
所有者兼经营者	弱	由职业经理人管理，并非由重仓持股的创始人经营。

美光科技暂时还没有视频，下方的每日简报每天都在跟进。